So sánh tốc độ của Galaxy S7 và Galaxy S8 đến từ tương lai
Sau nhiều ngày úp mở, cuối cùng Qualcomm cũng đã chính thức giới thiệu Snapdragon 835 tại CES 2017 được diễn ra vào hôm qua. Snapdragon 835 mang đến những cải tiến về hiệu năng, đồng thời bổ sung một loạt tính năng mới bao gồm Bluetooth 5.0, khả năng kết nối Wifi và 4G với tốc độ Gigabit,...
Xem thêm: [CES 2017] Siêu chip Snapdragon 835 chính thức lộ diện: nhỏ hơn, mạnh mẽ hơn, tiết kiệm pin hơn
Thực tế mà nói, hiệu năng trên những con chip 14nm như Snapdragon 820/821 vẫn tỏ ra rất đáng nể, nhưng việc chuyển sang quy trình 10nm giúp Qualcomm đạt bước tiến lớn về hiệu quả sử dụng năng lượng và hiệu suất.
Snapdragon 835 có tốc độ nhanh hơn 27%, trong khi năng lượng mà con chip này tiêu thụ ít hơn đến 40% so với người tiền nhiệm. Ngoài ra, quy trình này cũng giúp kích thước tổng thể của Snapdragon 835 nhỏ hơn thế hệ trước 30%.
Dưới đây là bảng so sánh tổng quan về những thông số cơ bản giữa Snapdragon 835 và người tiền nhiệm gần nhất 821. Mời các bạn xem qua:
Tuy nhiên đây chỉ là thông tin dựa trên lý thuyết của con chip mới này thôi. Chúng ta sẽ phải chờ đến khi Snapdragon 835 xuất hiện thực tế trên các sản phẩm smartphone trong năm nay để có cái nhìn chi tiết về hiệu năng mà con chip mới này mang lại. Và dựa trên những thông tin đã được công bố, có vẻ như năm nay sẽ lại là một năm áp đảo của Qualcomm trong phân khúc chip di động cao cấp.
Xem thêm: Smartphone trong tương lai sẽ có khả năng sạc 15 phút đầy nửa pin!
Theo AndroidCentral.
ĐĂNG NHẬP
Hãy đăng nhập để comment, theo dõi các hồ sơ cá nhân và sử dụng dịch vụ nâng cao khác trên trang Tin Công Nghệ của
Thế Giới Di Động
Tất cả thông tin người dùng được bảo mật theo quy định của pháp luật Việt Nam. Khi bạn đăng nhập, bạn đồng ý với Các điều khoản sử dụng và Thoả thuận về cung cấp và sử dụng Mạng Xã Hội.