Snapdragon 830 sẽ trang bị công nghệ sạc siêu nhanh Quick Charge 4.0

Định Tiến

12/11/16

Con át chủ bài Snapdragon 830 của Qualcomm sau khi rò rỉ các thông số kỹ thuật thì bây giờ một thông tin quan trọng về vi xử lý này đã xuất hiện.

Nguồn tin từ gizmochina cho biết Snapdragon 830 sẽ hỗ trợ công nghệ sạc siêu nhanh Quick Charge 4.0, công nghệ mới từ Qulacomm hứa hẹn sẽ giúp smartphone sạc nhanh hơn bao giờ hết (so với công nghệ Quick Charge trước đó).

Cụ thể Quick Charge 4.0 sẽ đi kèm với nguồn điện 28W, hỗ trợ 5V/4.7A~5.6A, 9V/4A, ngoài ra công nghệ Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV) mới sẽ giúp củ sạc tiết kiệm năng lượng hơn và sạc nhanh hơn cho các thiết bị có viên pin dung lượng lớn.

Các thông tin trước đó cho chip Snapdragon 830 sẽ có 8 lõi xử lý trên quy trình 10 nm của Samsung, dự kiến CPU mới cũng hỗ trợ bộ nhớ RAM 8 GB cùng màn hình độ phân giải 2K x 4K. Snapdragon 830 được tin là sẽ phát hành vào đầu năm 2017.

Xem thêm: Snapdragon 830 sẽ có tới 8 nhân xử lý hỗ trợ smartphone RAM 8 GB