Samsung sắp vướng vòng lao lý vì công nghệ sản xuất chip 10nm FinFET

Hữu Tình

05/12/16

Gần đây chúng ta từng được nghe nhiều thông tin về việc Samsung sẽ áp dụng công nghệ sản xuất chip 10nm FinFET trên Snapdragon 835, Exynos 8895... tuy nhiên hãng sắp phải đối mặt với một vụ kiện liên quan tới những dòng chip này.

Theo các phương tiện truyền thông Hàn Quốc, Viện Khoa học và Công nghệ Hàn Quốc (KAIST) đang lên kế hoạch kiện Samsung vi phạm bằng sáng chế công nghệ chip FinFET.

Nguyên nhân là vì trước đó, KAIST đã phát triển công nghệ chip 10nm FinFET mà hiện nay Samsung áp dụng trên những dòng chip sắp ra mắt. Samsung bị cáo buộc là đã sao chép công nghệ này của KAIST.

Việc sao chép có thể đã diễn ra khi Samsung mời ông Lee Jong-ho (Giáo sư Đại học quốc gia Seoul) về nghiên cứu phát triển công nghệ FinFET. Các nguồn tin cho rằng để giảm thời gian trong việc phát triển chip mới, Samsung đã dùng phát minh của ông Lee Jong-ho mà chưa được sự chấp thuận từ những cơ quan, tổ chức có thẩm quyền mà cụ thể ở đây là KAIST.

Được biết, thời gian trước đây, KAIST đã hợp tác cùng với trường Đại học quốc gia Seoul phát triển công nghệ chip trên vì vậy KAIST hiện đã sẵn sàng đưa Samsung ra tòa. Tuy nhiên hiện Samsung vẫn chưa đưa ra bình luận nào về vụ việc này.

Xem thêm: Snapdragon 835, Helio X30 và Kirin 970, ai sẽ thống lĩnh thị trường chip?

Theo Phonearena