Giỏ hàng
Đã thêm vào giỏ hàng Xem giỏ hàng
Chọn vị trí để xem giá, thời gian giao:
X
Chọn địa chỉ nhận hàng

Địa chỉ đang chọn: Thay đổi

Hoặc chọn
Vui lòng cho Thế Giới Di Động biết số nhà, tên đường để thuận tiện giao hàng cho quý khách.
Xác nhận địa chỉ
Không hiển thị lại, tôi sẽ cung cấp địa chỉ sau
Thông tin giao hàng Thêm thông tin địa chỉ giao hàng mới Xác nhận
Xóa địa chỉ Bạn có chắc chắn muốn xóa địa chỉ này không? Hủy Xóa

Hãy chọn địa chỉ cụ thể để chúng tôi cung cấp chính xác giá và khuyến mãi

Bạn vui lòng chờ trong giây lát...

Samsung bắt đầu sản xuất chip nhớ eUFS 3.0, hiệu năng smartphone sẽ tăng cao

TQ Hội
02/03/19
Samsung

Samsung Electronics là hãng sản xuất chip nhớ hàng đầu hiện nay, và hôm nay gã khổng lồ này tuyên bố rằng họ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ thế hệ mới Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 với tốc độ cao hơn gấp đôi so với tiêu chuẩn trước đó.

Với tốc độ đọc tuần tự lên đến 2.100 MB/s, eUFS 3.0 cho tốc độ hoạt động nhanh hơn gấp 4 lần so với tiêu chuẩn ổ cứng SSD trên máy tính hiện nay, và đặc biệt nhanh hơn gấp 20 lần so với tiêu chuẩn thẻ nhớ microSD.

Samsung

Chính điều này sẽ giúp các thiết bị hoạt động với tốc độ nhanh hơn, trong một thời gian ngắn có thể luân chuyển một lượng lớn dữ liệu, nhất là các dữ liệu về hình ảnh, video với độ phân giải cao lên đến 4K hay thậm chí 8K.

Dự kiến, phiên bản bộ nhớ eUFS 3.0 128 GB và 512 GB sẽ được trình làng trong tháng này, và đến nửa cuối năm 2019, Samsung sẽ sản xuất thêm 2 phiên bản với bộ nhớ 256 GB và 1 TB.

Như vậy, rất có thể chip nhớ thế hệ mới Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 sẽ xuất hiện lần đầu trên Galaxy Note 10 trong nửa cuối năm 2019.

Nguồn: Samsung

Xem thêm:

Biên tập bởi Trấn Minh
Bài viết liên quan

Bạn vui lòng chờ trong giây lát...