Rò rỉ thông số kỹ thuật của realme GT Neo6 và GT Neo6 Pro trước thềm ra mắt

realme GT Neo6 hôm qua đã lộ diện thông qua một hình ảnh render bị rò rỉ, tiết lộ ngày ra mắt vào tháng 8. Giờ đây, một rò rỉ khác đã xuất hiện trên Twitter cho biết realme sẽ ra mắt thêm một mẫu điện thoại khác là realme GT Neo6 Pro, đồng thời tiết lộ thông số kỹ thuật chính của cả hai.
realme GT Neo6 dự kiến được trang bị chip Dimensity 9200+. Đây cũng chính là vi xử lý cung cấp hiệu năng cho iQOO Neo8 Pro và Vivo X90s. Nguồn tin tiết lộ thêm rằng realme GT Neo6 có viên pin 5.000 mAh hỗ trợ sạc nhanh 100 W. Ngoài ra, máy khả năng đi kèm với RAM dung lượng lớn 16 GB và bộ nhớ trong 1 TB.

realme GT Neo6 Pro dự kiến sở hữu chip Snapdragon 8 Gen 2. Hơn nữa, bản Pro được cho là có viên pin 4.600 mAh và sạc nhanh 240 W. Về bộ nhớ, máy có thể được trang bị 24 GB RAM và 1 TB dung lượng lưu trữ.
Theo tin đồn trước đây, realme GT Neo6 khả năng song hành với màn hình độ phân giải 1.5K và tần số quét 144 Hz, đi kèm là camera chính 50 MP hỗ trợ OIS, bên trong máy tích hợp RAM LPDDR5x và ROM UFS 4.0. Sản phẩm cũng có thể hỗ trợ sạc nhanh 100 W.
Trong một tin tức liên quan, realme cũng được cho là đang phát triển một chiếc điện thoại chạy chip Snapdragon 8-series khác và dự kiến sẽ sớm ra mắt trong thời gian tới.
Bạn có dự đoán gì về bộ đôi realme GT Neo6 và realme GT Neo6 Pro không?
Ngoài ra, các bạn có thể tham khảo thêm nhiều smartphone khác của realme đang có giá tốt tại Thế Giới Di Động, bằng cách click vào nút màu cam bên dưới.
ĐẶT MUA SMARTPHONE REALME GIÁ TỐT
Nguồn: Gizmochina
Xem thêm:
- realme GT Neo6 bị rò rỉ ảnh render tiết lộ thiết kế và màu sắc
- realme GT Neo5 Pro bị rò rỉ có chip Snapdragon 8 Gen 2, màn hình 144Hz
ĐĂNG NHẬP
Hãy đăng nhập để comment, theo dõi các hồ sơ cá nhân và sử dụng dịch vụ nâng cao khác trên trang Tin Công Nghệ của
Thế Giới Di Động
Tất cả thông tin người dùng được bảo mật theo quy định của pháp luật Việt Nam. Khi bạn đăng nhập, bạn đồng ý với Các điều khoản sử dụng và Thoả thuận về cung cấp và sử dụng Mạng Xã Hội.