Galaxy S6 sẽ cực mượt mà khi sử dụng bộ nhớ truy cập nhanh UFS Flash

Đóng góp bởi Hữu Tình

12/11/14

Samsung sẽ trang bị bộ nhớ truy cập siêu nhanh UFS (Universal Flash Storage) lên smartphone Galaxy S6. Dự kiến máy sẽ trở nên mượt mà hơn nhờ bộ nhớ mới.

Trang ETNews Hàn Quốc vừa báo cáo rằng Samsung đang chuẩn bị sản xuất bộ nhớ UFS 2.0 NAND Flash với mục tiêu trang bị cho những smartphone cao cấp vào năm 2015, Galaxy S6. Dự kiến, tốc độ truyền tải dữ liệu trong bộ nhớ mới có thể lên đến 1.2GB/s.

Bộ nhớ UFS sẽ có tốc độ truy xuất cực nhanh

Hiện tại, smartphone đang sử dụng bộ nhớ eMMC NAND với tốc độ trung bình 400MB/s tuy nhiên UFS có thể đạt tốc độ gấp 3 lần như thế, siêu nhanh. Không những vậy, bộ nhớ mới còn có khả năng tiêu thụ điện năng ít hơn, cung cấp băng thông lớn hơn trong các kết nối LTE-A…

Chip nhớ của Samsung

Không chỉ Samsung mà một công ty Trung Quốc Xiaomi cũng đang có kế hoạch áp dụng công nghệ bộ nhớ mới trên smartphone của mình. Nhiều người tin rằng đó cũng là công nghệ mới trong tương lai gần và giúp smartphone có thể mượt mà hơn trong các xử lý.

Galaxy S6 sẽ được áp dụng bộ nhớ mới

Trả lời báo chí về vấn đề này, một đại diện của Samsung cho biết: ‘Công ty sẽ bắt đầu sử dụng UFS cho smartphone hàng đầu và dự kiến sẽ dành cho sản phẩm của năm sau’, ý nói là Galaxy S6 và xa hơn là Galaxy Note 5.

Thegioididong (theo phonearena)