Redmi Note 9 High Edition rò rỉ thông số cấu hình: Chip Snapdragon 750G, pin 4.820 mAh, sạc nhanh 33W, còn gì nữa không?

Redmi là thương hiệu sản xuất smarphone thuộc sở hữu của Xiaomi, công ty được biết đến với dòng sản phẩm Redmi Note rất thành công trên thị trường. Theo các báo cáo mới đây, Redmi đang có kế hoạch ra mắt 3 mẫu điện thoại thuộc dòng Redmi Note 9 tại Trung Quốc.

Cụ thể, hai trong số ba mẫu smartphone vừa bị rò rỉ trên mạng xã hội bao gồm Redmi Note 9 Standard Edition và Redmi Note 9 High Edition. Theo đó, thiết bị sẽ có màn hình 6.67 inch Full HD+ với độ phân giải 2.400 x 1.080 pixel cùng tốc độ làm mới 120 Hz và tốc độ lấy mẫu cảm ứng 240 Hz.

Cung cấp sức mạnh cho Redmi Note 9 High Edition là bộ vi xử lý Snapdragon 750G của Qualcomm. Thiết bị sở hữu viên pin 4.820 mAh cùng công nghệ sạc nhanh 33 W.

Về camera, thiết bị sẽ được cung cấp 4 camera ở mặt sau và có thể là smartphone đầu tiên trên thế giới có cảm biến HM2 108 MP của Samsung. Ở mặt trước, máy sẽ được trang bị camera selfie 16 MP.

Nhìn vào các thông số kỹ thuật, thiết bị này giống như một chiếc Xiaomi Mi 10T Lite đã được đổi tên. Được biết, Mi 10T Lite đã được ra mắt vào tháng 9 năm nay và là điện thoại đầu tiên trên thế giới được trang bị chip Snapdragon 750G.

Bạn mong chờ sự thay đổi nào đến từ dòng Redmi Note 9 sắp tới?

Nguồn: Gizmochina

Xem thêm: Redmi Note 9 phiên bản mới mạnh nhất rò rỉ thông số kỹ thuật, đặc biệt là được trang bị màn hình 120Hz