Theo các nguồn tin gần đây, vi xử lý Qualcomm Snapdragon 830 sẽ được ra mắt vào nữa cuối năm 2017 (không giống như các nguồn tin trước đó là sẽ không ra mắt).
Sản xuất từ quy trình 10nm FinFET
.jpg)
Với quy trình này, Snapdragon 830 sẽ được cải thiện về sức mạnh xử lí và hiệu suất nhiệt. Không những thế tổng thể vi xử lý còn mỏng hơn điều này đồng nghĩa với việc con chip này sẽ tiêu thụ điện năng ít hơn so với các thế hệ tiền nhiệm.
Trang bị công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0
.jpg)
Được biết với công nghệ Quick Charge 4.0 bạn chỉ cần sạc 15 phút là pin của máy sẽ đầy đến 50%. Nó sẽ giúp điện thoại sạc nhanh hơn 20% và hiệu suất pin tăng 30% so với Quick Charge 3.0, ngoài ra nhiệt độ khi sạc cũng sẽ giảm đi đáng kể. Thậm chí QuickCharge 4.0 còn có khả năng ngăn việc sạc pin quá tải để đảm bảo chu kỳ sạc, nhiệt độ và kéo dài tuổi thọ pin, đặc biệt là nguy cơ cháy nổ được giảm thiểu đáng kể.
Một số thông số kỹ thuật
- Snapdragon 830 sẽ có 6 hoặc 8 lõi Kryo 200 -Tích hợp đồ họa Adreno 519
- Hỗ trợ công nghệ mạng tốc độ cao LTE Cat 12

Từ các thông tin rõ rỉ trên, bộ vi xử lý Snapdragon 830 có khả năng sẽ xuất hiện nhiều trên các dòng flagship vào năm sau.